Что такое ранки в оперативной памяти?

Содержание

Словарь терминов: Оперативная память

Что такое ранки в оперативной памяти?

Тип оперативной памяти, который определяет главные характеристики памяти и внутреннюю структуру. Сегодня выпускается пять главных типа оперативной памяти: SDRAM, DDR SDRAM, DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM, RIMM. SDRAM — синхронная динамическая память, имеющая случайный доступ.

Плюсы по сравнению с памятью более старших поколений: синхронизация с системным генератором, это дает возможность контроллеру памяти знать конкретное время готовности данных, с помощью этого новшества временные задержки в процессе циклов ожидания снижаются из-за того, что данные свободны для доступна во время каждого такта таймера. Раньше SDRAM активно применялась в компьютерах, однако в настоящее время почти полностью вытеснена DDR и DDR2.

DDR SDRAM — синхронная динамическая память, имеющая случайный доступ и характеризующаяся удвоенной скоростью передачи информации. Плюсы DDR SDRAM перед SDRAM: за один такт системного генератора возможно проведение двух операций с информацией, что увеличивает в два раза пиковую пропускную способность при работе на одинаковой частоте. DDR2 SDRAM — следующее за DDR поколение памяти. Принцип работы подобен тому, что применяется в DDR.

Отличие: имеется возможность выборки за один такт 4-х бит данных (для DDR производится 2-х битная выборка), увеличена рабочая частота, снижено энергопотребление модулей памяти, снижено тепловыделение. DDR3 SDRAM – следующее DDR2 SDRAM поколение памяти, применяется та же технология «удвоения частоты». Главное отличие от DDR2: возможность работать на большей частоте. Модули DDR3 имеют в наличии 240 контактных площадок, однако они несовместимы со старыми слотами, так как применяются другие ориентирующие прорези («ключи»).

RIMM (Rambus DRAM, RDRAM) – это разработанная фирмой Rambus синхронная динамическая память. Главные отличия от DDR-памяти: увеличение тактовой частоты путем снижения разрядности шины, одновременная передача при обращении к памяти номера столбца и строки ячейки. RDRAM стоит значительно дороже DDR, причем при аналогичной производительности, это привело к тому, что данный тип памяти почти полностью покинул рынок.

Определяясь с типом памяти, ориентируйтесь в первую очередь на возможности материнской платы вашего компьютера, а также на ее совместимость с разными модулями памяти.

Форм-фактор

Стандарт модуля оперативной памяти. Форм-фактор (стандарт) определяет габариты модуля памяти, а также число контактов и их расположение. Бывает несколько абсолютно несовместимых стандартов памяти: SIMM, DIMM, -DIMM, SODIMM, MicroDIMM, RIMM. SIMM — на модулях памяти этого стандарта зачастую располагаются 72 или 30 контактов, каждый из этих контактов оснащен выходом на две стороны платы памяти. DIMM — модули памяти стандарта DIMM, обычно они имеют 240, 200, 184 или 168 независимых контактных площадок, контактные площадки размещаются по две стороны платы памяти. DDR2 -DIMM — модули памяти этого стандарта применяются в серверах.

Механически они подобны модулям памяти DIMM 240-pin, однако совершенно несовместимы с обычными небуферизованными модулями памяти Registered DDR2 DIMM и DDR2 DIMM. SODIMM — компактный вариант DIMM, обычно применяется в Tablet PC и ноутбуках. Чаще всего имеет 72, 144, 168, 200 контактов. MicroDIMM – один из вариантов DIMM для субноутбуков и ноутбуков. Габариты имеет меньше, чем SODIMM, характеризуется наличием 60 контактных площадок. RIMM — стандарт для модулей памяти типа RIMM (RDRAM), характеризуется наличием 184, 168 или 242 контактов.

Стандарт модуля оперативной памяти и стандарт, который поддерживает материнская плата, должны совпадать.

Объем одного модуля

от 0.03125 до 128 Гб

Объем памяти, который имеет один модуль. Общий объем памяти системы можно рассчитать, сложив объемы памяти всех установленных модулей. Для комфортной работы в офисных программах и сети интернет хватит 512 Мб. Для нормальной работы с офисными приложениями, а также с графическими редакторами хватит 1 Гб (1024 Мб) оперативной памяти. Работать в сложных графических программах и играть в компьютерные игры позволит 2 Гб (2048 Мб) памяти системы.

Количество модулей

от 1 до 16

Число продающихся в наборе модулей памяти. Встречаются в продаже не только одиночные планки, но и комплекты, в комплекте может быть два модуля, четыре, шесть, восемь, все они имеют идентичные характеристики и подобранны для работы в двухканальном режиме (в паре). Применение такого двухканального режима позволяет добиться ощутимого увеличения пропускной способности, и, как следствие, увеличения скорости работы приложений.

Нужно сказать, что то, что вы купили два модуля одного производителя, имеющие одинаковые характеристики, вовсе не означает то, что они смогут работать в двухканальном режиме.

По этой причине, если материнская плата вашего компьютера способна поддерживать двухканальный режим работы памяти, то вам следует обратить свое внимание на комплекты, состоящие из нескольких модулей, если для вас, конечно, важна высокая скорость работы графических и игровых приложений.

Количество контактов

от 144 до 288

Число расположенных на модуле памяти контактных площадок. Число контактов на модуле должно совпадать с числом контактов в слоте для оперативной памяти, расположенных на материнской плате. Нужно помнить, что кроме одинакового числа контактов совпадать обязаны еще и «ключи» («ключами» называют вырезы на модуле, они исключают возможность неправильной установки).

Количество ранков

от 1 до 8

Число областей памяти (ранков) модуля оперативной памяти. Ранком называют область памяти, которая образована несколькими чипами или всеми чипами модуля памяти и имеет ширину, равную 64 бита. Модуль оперативной памяти, в зависимости от конструкции, может иметь один, два или четыре ранка.

Выпускаемые сегодня серверные материнские платы характеризуются наличием ограничения на общее количество ранков памяти, к примеру, если может быть установлено максимально восемь ранков и уже установлено четыре двухранковых модуля, то установить дополнительные модули в свободные слоты уже не получится, т.к. их установка вызовет превышение лимита.

Вот почему одноранковые модули стоят дороже, чем двух- и четырехранковые.

Тактовая частота

от 66 до 4800 МГц

Наименьшая частота системного генератора, по ней происходит синхронизация процессов приема и передачи информации. Для DDR, DDR2 и DDR3 памяти указывается удвоенное значение тактовой частоты (две операции с данными осуществляется за один такт). Чем тактовая частота выше, тем большее количество операций в единицу времени может быть совершено, это позволяет компьютерным играм и другим приложениям работать стабильнее и быстрее. При всех остальных одинаковых характеристиках память, имеющая большую частоту, стоит дороже.

Пропускная способность

от 1600 до 38400 Мб/с

Пропускной способностью модуля памяти называют объем получаемой или передаваемой за одну секунду информации. Этот параметр имеет прямую зависимость от тактовой частоты памяти. Рассчитывается пропускная способность модуля памяти путем умножения ширины шины на тактовую частоту. Чем пропускная способность больше, тем больше скорость работы памяти, тем больше цена модуля (если остальные характеристики совпадают).

Поддержка ECC

Поддержка ECC (Error Checking and Correction) алгоритма, который дает возможность и выявлять, и исправлять случайно возникшие в процессе передачи данных ошибки (не больше, чем один бит в байте). Технологию Error Checking and Correction способны поддерживать почти все серверные платы, а также некоторые материнские платы для рабочих станций. Модули памяти с ECC стоят дороже, чем те, которые не поддерживают данный алгоритм.

Буферизованная (Registered)

Наличие буфера (специальных регистров) на модуле памяти, специальные регистры достаточно быстро могут сохранять поступившие данные, уменьшать нагрузку на систему синхронизации, освобождая тем самым контроллер памяти.

Наличие специальных регистров между чипами памяти и контроллером ведет к появлению дополнительной задержки, равной один такт, при совершении операций, таким образом, более высокая надежность происходит из-за незначительного снижения быстродействия. Модули памяти, оснащенные регистрами, характеризуются высокой стоимостью, применяются они в основном в серверах.

Следует помнить, что несовместимы небуферизованная и буферизованная память, а это значит, что их одновременное применение в одной системе невозможно.

Низкопрофильная (Low Profile)

Модуль памяти, который характеризуется высотой меньшего размера (по сравнению со стандартным размером). Такой размер дает возможность его устанавливать в невысоких серверных корпусах.

Радиатор

Наличие закрепленных на микросхемах памяти специальных пластин металла, эти пластины предназначены для улучшения теплоотдачи. Радиаторы обычно устанавливают на модули памяти, которые служат для работы при высокой частоте.

Поддержка XMP

XMP (eXtreme Memory Profiles) – профиль содержащий данные о расширенных и нестандартных возможностях модуля оперативной памяти. По средствам BIOS компьютера на начальном периоде загрузки осуществляется переключение в режим разгона, без настраивания всех задержек работы вручную.

CL

от 2 до 22

CAS Latency, CAS — число тактов со времени запроса данных до считывания их с модуля памяти. CAS Latency, CAS – самая важная характеристика модуля памяти, она определят быстродействие памяти. С уменьшением числа CL ускоряется работа памяти.

tRCD

от 2 до 26

RAS to CAS Delay – это задержка между сигналами, которые определяют адрес столбца и адрес строки.

tRP

от 2 до 26

Row Precharge Delay. Данный параметр определяет период накопления заряда, подзаряд сигнала RAS (время повторной выдачи), т.е. то время, по прошествии которого контроллер памяти снова сможет выдать сигнал инициализации адреса строки.

tRAS

от 5 до 52

Activate to Precharge Delay – это наименьшее число циклов между RAS (командой активации) и Precharge (командой подзарядки) или закрытия одного и того же банка памяти.

Напряжение питания

от 1.2 до 3.3 В

Необходимое для питания модуля оперативной памяти значение напряжение. Все модули рассчитаны на какое-то определенное напряжение, поэтому, выбирая этот элемент, убедитесь, поддерживает ли ваша материнская плата необходимое напряжение.

Производитель

Фирма-производитель установленных на модуле микросхем. Нередко фирмы-производители модулей памяти используют для выпуска своей продукции чипы стороннего производителя.

Количество

от 1 до 184

Число установленных на одном модуле памяти чипов. Находиться микросхемы могут с любой стороны и с обеих сторон платы.

Упаковка

Способ расположения на модуле памяти чипов. Выпускаются модули с односторонней и двусторонней упаковкой. Если на модуле микросхемы расположены с двух сторон, то модули имеют большую толщину, что препятствует их установке в некоторые системы.

Источник: https://komp.1k.by/utility-memory-terms/

Про ранги и виртуализацию в RAM

Что такое ранки в оперативной памяти?

В продолжение рубрики «конспект админа» хотелось бы разобраться в нюансах технологий ОЗУ современного железа: в регистровой памяти, рангах, банках памяти и прочем. Подробнее коснемся надежности хранения данных в памяти и тех технологий, которые несчетное число раз на дню избавляют администраторов от печалей BSOD.

Старые песни про новые типы

Сегодня на рынке представлены, в основном, модули с памятью DDR SDRAM: DDR2, DDR3, DDR4. Разные поколения отличаются между собой рядом характеристик – в целом, каждое следующее поколение «быстрее, выше, сильнее», а для любознательных вот табличка:

Для подбора правильной памяти больший интерес представляют сами модули:

  • RDIMM — регистровая (буферизованная) память. Удобна для установки большого объема оперативной памяти по сравнению с небуферизованными модулями. Из минусов – более низкая производительность;
  • UDIMM (unregistered DRAM) — нерегистровая или небуферизованная память — это оперативная память, которая не содержит никаких буферов или регистров;
  • LRDIMM — эти модули обеспечивают более высокие скорости при большей емкости по сравнению с двухранговыми или четырехранговыми модулями RDIMM, за счёт использования дополнительных микросхем буфера памяти;
  • HDIMM (HyperCloud DIMM, HCDIMM) — модули с виртуальными рангами, которые имеют большую плотность и обеспечивают более высокую скорость работы. Например, 4 физических ранга в таких модулях могут быть представлены для контроллера как 2 виртуальных;
  • DIMM — полностью буферизованная DIMM с высокой надежностью, скоростью и плотностью размещения.

Попытка одновременно использовать эти типы может вызвать самые разные печальные последствия, вплоть до порчи материнской платы или самой памяти. Но возможно использование одного типа модулей с разными характеристиками, так как они обратно совместимы по тактовой частоте. Правда, итоговая частота работы подсистемы памяти будет ограничена возможностями самого медленного модуля или контроллера памяти.

Для всех типов памяти SDRAM есть общий набор базовых характеристик, влияющий на объем и производительность:

  • частота и режим работы;
  • ранг;
  • тайминги.

Конечно, отличий на самом деле больше, но для сборки правильно работающей системы можно ограничиться этими.

Частота и режим работы

Понятно, что чем выше частота — тем выше общая производительность памяти. Но память все равно не будет работать быстрее, чем ей позволяет контроллер на материнской плате. Кроме того, все современные модули умеют работать в в многоканальном режиме, который увеличивает общую производительность до четырех раз.

Читайте также  Какие бывают флешки по объему памяти?

Режимы работы можно условно разделить на четыре группы:

  • Single Mode — одноканальный или ассиметричный. Включается, когда в системе установлен только один модуль памяти или все модули отличаются друг от друга. Фактически, означает отсутствие многоканального доступа;
  • Dual Mode — двухканальный или симметричный. Слоты памяти группируются по каналам, в каждом из которых устанавливается одинаковый объем памяти. Это позволяет увеличить скорость работы на 5-10 % в играх, и до 70 % в тяжелых графических приложениях. Модули памяти необходимо устанавливать парами на разные каналы. Производители материнских плат обычно выделяют парные слоты одним цветом;
  • Triple Mode — трехканальный режим работы. Модули устанавливаются группами по три штуки — на каждый из трех каналов. Аналогично работают и последующие режимы: четырехканальные (quad-channel), восьмиканальные (8-channel memory) и т.п.
  • Flex Mode – позволяет увеличить производительность оперативной памяти при установке двух модулей различного объема, но с одинаковой частотой.

Для максимального быстродействия лучше устанавливать одинаковые модули с максимально возможной для системы частотой. При этом используйте установку парами или группами — в зависимости от доступного многоканального режима работы.

Ранги для памяти

Ранг (rank) — область памяти из нескольких чипов памяти в 64 бита (72 бита при наличии ECC, о чем поговорим позже). В зависимости от конструкции модуль может содержать один, два или четыре ранга.

Узнать этот параметр можно из маркировки на модуле памяти. Например уKingston число рангов легко вычислить по одной из трех букв в середине маркировки: S (Single — одногоранговая), D (Dual — двухранговая), Q (Quad — четырехранговая).

Пример полной расшифровки маркировки на модулях Kingston:

Серверные материнские платы ограничены суммарным числом рангов памяти, с которыми могут работать. Например, если максимально может быть установлено восемь рангов при уже установленных четырех двухранговых модулях, то в свободные слоты память добавить не получится.

Перед покупкой модулей есть смысл уточнить, какие типы памяти поддерживает процессор сервера. Например, Xeon E5/E5 v2 поддерживают одно-, двух- и четырехранговые регистровые модули DIMM (RDIMM), LRDIMM и не буферизированные ECC DIMM (ECC UDIMM) DDR3. А процессоры Xeon E5 v3 поддерживают одно- и двухранговые регистровые модули DIMM, а также LRDIMM DDR4.

Немного про скучные аббревиатуры таймингов

Тайминги или латентность памяти (CAS Latency, CL) — величина задержки в тактах от поступления команды до ее исполнения. Числа таймингов указывают параметры следующих операций:

  • CL (CAS Latency) – время, которое проходит между запросом процессора некоторых данных из памяти и моментом выдачи этих данных памятью;
  • tRCD (задержка от RAS до CAS) – время, которое должно пройти с момента обращения к строке матрицы (RAS) до обращения к столбцу матрицы (CAS) с нужными данными;
  • tRP (RAS Precharge) – интервал от закрытия доступа к одной строке матрицы, и до начала доступа к другой;
  • tRAS – пауза для возврата памяти в состояние ожидания следующего запроса;
  • CMD (Command Rate) – время от активации чипа памяти до обращения к ней с первой командой.

Разумеется, чем меньше тайминги – тем лучше для скорости. Но за низкую латентность придется заплатить тактовой частотой: чем ниже тайминги, тем меньше допустимая для памяти тактовая частота. Поэтому правильным выбором будет «золотая середина».

Существуют и специальные более дорогие модули с пометкой «Low Latency», которые могут работать на более высокой частоте при низких таймингах. При расширении памяти желательно подбирать модули с таймингами, аналогичными уже установленным.

RAID для оперативной памяти

Ошибки при хранении данных в оперативной памяти неизбежны. Они классифицируются как аппаратные отказы и нерегулярные ошибки (сбои). Память с контролем четности способна обнаружить ошибку, но не способна ее исправить.

Для коррекции нерегулярных ошибок применяется ECC-память, которая содержит дополнительную микросхему для обнаружения и исправления ошибок в отдельных битах.

Метод коррекции ошибок работает следующим образом:

  1. При записи 64 бит данных в ячейку памяти происходит подсчет контрольной суммы, составляющей 8 бит.

  2. Когда процессор считывает данные, то выполняется расчет контрольной суммы полученных данных и сравнение с исходным значением. Если суммы не совпадают – это ошибка.

  3. Если ошибка однобитовая, то неправильный бит исправляется автоматически. Если двухбитовая – передается соответствующее сообщение для операционной системы.

Технология Advanced ECC способна исправлять многобитовые ошибки в одной микросхеме, и с ней возможно восстановление данных даже при отказе всего модуля DRAM.

Исправление ошибок нужно отдельно включить в BIOS

Большинство серверных модулей памяти являются регистровыми (буферизованными) – они содержат регистры контроля передачи данных.

Регистры также позволяют устанавливать большие объемы памяти, но из-за них образуются дополнительные задержки в работе. Дело в том, что каждое чтение и запись буферизуются в регистре на один такт, прежде чем попадут с шины памяти в чип DRAM, поэтому регистровая память оказывается медленнее не регистровой на один такт.

Источник — nix.ru

Все регистровые модули и память с полной буферизацией также поддерживают ECC, а вот обратное не всегда справедливо. Из соображений надежности для сервера лучше использовать регистровую память.

Многопроцессорные системы и память

Для правильной и быстрой работы нескольких процессоров, нужно каждому из них выделить свой банк памяти для доступа «напрямую». Об организации этих банков в конкретном сервере лучше почитать в документации, но общее правило такое: память распределяем между банками поровну и в каждый ставим модули одного типа.

Если пришлось поставить в сервер модули с меньшей частотой, чем требуется материнской плате – нужно включить в BIOS дополнительные циклы ожидания при работе процессора с памятью.

Для автоматического учета всех правил и рекомендаций по установке модулей можно использовать специальные утилиты от вендора. Например, у HP есть Online DDR4 (DDR3) Memory Configuration Tool.

Итого

Вместо пространственного заключения приведу общие рекомендации по выбору памяти:

  • Для многопроцессорных серверов HP рекомендуется использовать только регистровую память c функцией коррекции ошибок (ECC RDIMM), а для однопроцессорных — небуферизированную с ECC (UDIMM). Планки UDIMM для серверов HP лучше выбирать от этого же производителя, чтобы избежать самопроизвольных перезагрузок.
  • В случае с RDIMM лучше выбирать одно- и двухранговые модули (1rx4, 2rx4). Для оптимальной производительности используйте двухранговые модули памяти в конфигурациях 1 или 2 DIMM на канал. Создание конфигурации из 3 DIMM с установкой модулей в третий банк памяти значительно снижает производительность.
  • Из тех же соображений максимальной скорости желательно избегать использования четырехранговой памяти RDIMM, поскольку она снижает частоту до 1066 МГц в конфигурациях с одним модулем на канал, и до 800 МГц – в конфигурациях с двумя модулями на канал. Справедливо для серверов на базе Intel Xeon 5600 и Xeon E5/E5 v2.

Список короткий, но здесь все самое необходимое и наименее очевидное. Конечно же, старый как мир принцип RTFM никто не отменял.

Источник: https://habr.com/ru/company/pc-administrator/blog/321554/

Что такое ранки в оперативной памяти?

Что такое ранки в оперативной памяти?

Память произвольного доступа или RAM (произносится как ramm ) — это физическое оборудование внутри компьютера, которое временно хранит данные, служащие «рабочей» памятью компьютера.

Дополнительная оперативная память позволяет компьютеру работать с большей информацией одновременно, что, как правило, оказывает существенное влияние на общую производительность системы.

Некоторые популярные производители оперативной памяти включают Kingston , PNY , Crucial Technology и Corsair .

Примечание. Существует много типов RAM, поэтому вы можете услышать, что это вызвано другими именами. Он также известен как основная память , внутренняя память , первичное хранилище , первичная память , память «stick» и RAM «stick» .

Ваш компьютер нуждается в оперативной памяти для быстрого использования данных

Проще говоря, целью RAM является обеспечение быстрого доступа для чтения и записи на запоминающее устройство. Ваш компьютер использует RAM для загрузки данных, потому что это намного быстрее, чем запуск этих же данных непосредственно с жесткого диска .

Думайте о RAM как о офисном столе. Стол используется для быстрого доступа к важным документам, инструментам для записи и другим элементам, которые вам нужны прямо сейчас . Без стола вы бы сохранили все, что хранилось в ящиках и шкафах хранения, а это означает, что для выполнения повседневных задач потребуется намного больше времени, так как вам придется постоянно обращаться к этим отсекам для хранения, чтобы получить то, что вам нужно, а затем потратить дополнительное время их от.

Аналогично, все данные, которые вы активно используете на своем компьютере (или смартфон, планшет и т. Д.), Временно сохраняются в RAM. Такой тип памяти, как настольный компьютер в аналогии, обеспечивает гораздо более быстрое время чтения / записи, чем использование жесткого диска. Большинство жестких дисков значительно медленнее, чем RAM из-за физических ограничений, таких как скорость вращения.

Оперативная память RAM работает с вашим жестким диском

RAM обычно называют просто «памятью», хотя другие типы памяти могут существовать внутри компьютера. RAM, в центре внимания этой статьи, не имеет ничего общего с объемом хранения файлов на жестком диске, хотя эти два часто неправильно переписываются друг с другом в разговоре. Например, 1 ГБ памяти (RAM) — это не то же самое, что 1 ГБ на жестком диске.

В отличие от жесткого диска, который можно отключить, а затем снова включить, не теряя своих данных, содержимое RAM всегда стирается, когда компьютер выключается. Вот почему ни одна из ваших программ или файлов по-прежнему не открыта, когда вы снова включаете свой компьютер.

Односторонние компьютеры обойти это ограничение — это перевести компьютер в спящий режим. Спящий режим компьютера просто копирует содержимое RAM на жесткий диск, когда компьютер выключается, а затем копирует все его обратно в RAM при включении.

Каждая материнская плата поддерживает только определенный диапазон типов памяти в определенных комбинациях, поэтому перед покупкой всегда проверяйте у своего производителя материнской платы.

RAM на вашем компьютере напоминает линейку или «Stick»

Стандартный «модуль» или «палка» настольной памяти — это длинный, тонкий элемент аппаратного обеспечения, который напоминает короткую линейку. Нижняя часть модуля памяти имеет один или несколько вырезов для правильной установки и выложена многочисленными, обычно позолоченными, разъемами.

Память устанавливается в слотах модулей памяти, расположенных на материнской плате . Эти слоты легко найти — просто найдите небольшие петли, которые блокируют RAM на месте, расположенные по обе стороны от слота аналогичного размера на материнской плате.

Важно: в некоторых слотах могут потребоваться определенные размеры модулей, поэтому перед покупкой или установкой всегда проверяйте производителя материнской платы! Другим вариантом, который может помочь, является использование инструмента системной информации для просмотра конкретных типов модулей, которые использует материнская плата.

Модули памяти имеют различные возможности и вариации. Современные модули памяти можно приобрести в размерах 256 МБ, 512 МБ, 1 ГБ, 2 ГБ, 4 ГБ, 8 ГБ и 16 ГБ. Некоторые примеры различных типов модулей памяти включают DIMM, RIMM, SIMM, SO-DIMM и SO-RIMM.

Сколько оперативной памяти RAM вам нужно

Так же, как с процессором и жестким диском, объем памяти, необходимый для вашего компьютера, полностью зависит от того, что вы используете или планируете использовать для своего компьютера.

Например, если вы покупаете компьютер для тяжелых игр, тогда вам потребуется достаточно RAM для поддержки плавного геймплея. Наличие всего 2 ГБ оперативной памяти, доступной для игры, которая рекомендует не менее 4 ГБ, приведет к очень низкой производительности, если не полная неспособность играть в ваши игры.

На другом конце спектра, если вы используете свой компьютер для легкого интернет-просмотра и без потоковой передачи видео, игр, приложений с интенсивным использованием памяти и т. Д., Вы можете легко уйти с меньшим объемом памяти.

То же самое можно сказать о приложениях для редактирования видео, программах, которые тяжелы в 3D-графике и т. Д. Обычно вы можете узнать, прежде чем покупать компьютер, сколько потребуется для конкретной программы или игры, часто указывается в разделе «Системные требования» веб-сайт или поле продукта.

Было бы сложно найти новый настольный компьютер, ноутбук или даже планшет, который поставляется с предустановленной памятью объемом от 2 до 4 ГБ. Если у вас нет конкретной цели для вашего компьютера, помимо обычной потоковой передачи видео, просмотра в Интернете и использования обычного приложения, вам, вероятно, не нужно покупать компьютер, в котором больше RAM.

Устранение неполадок оперативной памяти RAM

Первое, что вам нужно сделать, если вы подозреваете, что проблема с одним или несколькими палочками RAM — это переустановить модули памяти . Если одна из папок RAM не была надежно вставлена в слот на материнской плате, возможно, даже небольшой удар может сбить его с места и вызвать проблемы с памятью, которые у вас не были раньше.

Ваш лучший вариант — заменить память на вашем компьютере, если один из этих инструментов идентифицирует проблему, независимо от того, насколько она мала.

Дополнительная информация об оперативной памяти

Хотя RAM объясняется как энергозависимая память в контексте этого веб-сайта (в отношении внутренней памяти компьютера), RAM также существует в энергонезависимой, неизменяемой форме, называемой постоянной памятью (ПЗУ). Например, флэш-накопители и твердотельные накопители представляют собой варианты ПЗУ, которые сохраняют свои данные даже без питания, но могут быть изменены.

Существует много типов RAM , но двумя основными типами являются статическое RAM (SRAM) и динамическое RAM (DRAM). Оба типа нестабильны. SRAM быстрее, но дороже, чем DRAM, поэтому DRAM более распространена в современных устройствах. Тем не менее, SRAM иногда наблюдается в небольших дозах в различных внутренних частях компьютера, например, с процессором и в качестве кэш-памяти жесткого диска.

Некоторые программы, такие как SoftPerfect RAM Disk , могут создавать так называемый RAM-диск , который по существу является жестким диском, который существует внутри RAM. Данные могут быть сохранены и открыты с этого нового диска, как если бы они были любыми другими, но время чтения / записи намного быстрее, чем использование обычного жесткого диска, поскольку оперативная память намного быстрее.

Некоторые операционные системы могут использовать так называемую виртуальную память , которая является противоположностью RAM-диска. Это функция, которая выделяет пространство на жестком диске для использования в качестве RAM. Хотя это может увеличить общую доступную память для приложений и других приложений, это может отрицательно повлиять на производительность системы из-за того, что жесткие диски медленнее, чем RAM-накопители.

Источник: http://unity-service.ru/chto-takoe-ranki-v-operativnoy-pamyati/

Оперативная память сервера – установить и не потерять в производительности

Что такое ранки в оперативной памяти?

Правила подбора и размещения модулей DIMM приводятся для систем на процессорах Intel Xeon E5 v3, v4, Xeon Scalable

   Подсистема оперативной памяти — важнейшая составляющая, от которой зависит производительность  сервера и его эффективность. В иерархии хранения оперативная память стоит на втором месте после внутренних кэшей процессоров как по скорости, так и по стоимости хранения единицы информации.
Неэффективное ее использование существенно влияет на производительность, а значит – на отдачу от вложенных средств как на этапе покупки сервера, так и во время всего срока его эксплуатации.

Понятно, что подсистема оперативной памяти просчитывается еще на этапе принятия решения о покупке сервера. Но подчас загодя предсказать ее необходимый объем проблематично. К тому же, объем и состав программного обеспечения, устанавливаемый на сервер, может существенно измениться уже при вводе его в эксплуатацию, не говоря уже об изменениях во времени.

Ревизия и перестройка подсистемы должны проводиться регулярно, поскольку эти мероприятия позволят сохранять эффективность эксплуатации системы. Они могут потребоваться при изменении нагрузки на сервер в результате:

  • изначальных ошибок в оценке необходимых ресурсов;
  • повышения объема выполняемых компанией задач в результате роста;
  • повышения требований к аппаратным ресурсам при обновлении установленного программного обеспечения;
  • ввода новых инструментов, функций или расширении спектра услуг в компании

Основные характеристики подсистемы памяти

Ряд характеристик необходимо учитывать как при проектировании будущего сервера, так и при его перестройке – апгрейде или восстановлении (ремонте).

Объем оперативной памяти

Сверху объем оперативной памяти сервера ограничен количеством слотов DIMMв системе и максимальным объемом одного модуля того типа, который поддерживается процессорами системы. Снизу – только финансовыми возможностями компании.
В идеале – общий объем оперативной памяти при штатной загрузке системы не должен быть занят более, чем на 75%.

Отдельные пики загрузки, если они непродолжительны, не существенно повлияют на производительность. Низкая загруженность системы говорит о неэффективно вложенных средствах.

А полная занятость оперативной памяти приводит к процессам вытеснения задач (swap), связанных с переносом части данных из оперативной памяти в дисковую и обратно за счет файлов подкачки – что кардинально снижает производительность сервера.

Уровень занятости физической оперативной памяти можно проверить различными встроенными в операционную систему мониторами производительности. Важно! Рассматривать необходимо именно физическую память, без учета файлов подкачки

Тип модулей

Тип модулей DIMM, поддерживаемых системой, жестко определяется типом установленных в сервер процессоров и описан в инструкции по эксплуатации или на сайте производителя. Это касается как собственно типа – DDR3, DDR4, буферизации модулей — буферизованная, регистровая, и системы исправления ошибок – ECC

Отдельный класс модулей памяти – LRDIMM, 3DS LRDIMM. Это модули повышенной емкости с оптимизированной за счет внутренних регистров нагрузкой на шину памяти. Так как внутренняя структура модулей этого типа существенно отличается от обычной RDIMM, одновременная установка DIMM разного типа в системе невозможна. Ни в каких сочетаниях.

Тактовая частота шины

Тактовая частота модулей памяти DIMM должна соответствовать максимальной частоте шины, поддерживаемой встроенным в процессор контроллером памяти – то есть, тоже определяется используемым процессором.

В серии XeonE5 младший процессор XeonE5 v4 – E5-2609v4 поддерживает частоты шины 1600/1866 МГц, средний E5-2630v4 — 1600/1866/2133 МГц, а более старшие, например E5-2650v4  — 1600/1866/2133/2400 МГц

В серии XeonScalable: Bronze3104 и 3106 поддерживает частоту 2133 МГц, Silver 4108 и 4110 — 2400 МГц, Gold 6130 – 2666 МГц.

В конфигурациях 2 модуля на канал (2DPC) и 3 модуля на канал (3DPC) серверов на процессорах XeonE5 с каждым добавлением DIMM в канал, на ступень уменьшается частота шины. Соответственно, если в канале процессора, поддерживающего шину 2400 МГц установлен 1 DIMM, он работает на полной частоте. Добавляем модуль в тот же канал – они работают на частоте 2133 МГц. Добавляем третий – канал настраивается на частоту 1866 МГц

Процессоры XeonScalable позволяют устанавливать до двух модулей DIMM на канал, снижения частоты шины при этом не происходит.

Модули DIMMс частотой большей, чем тактовая частота шины, установленная процессором, могут корректно работать в системе, но не наоборот.

Конфигурация — расположение модулей DIMM в слотах

Особенности работы контроллера (или контроллеров) памяти процессора приводят к тому, что число и карта расположения модулей DIMM в конкретных слотах сервера может сильно повлиять на его производительность. Несбалансированная конфигурация может иметь только 16% от потенциальной пропускной способности шины памяти.

И добиться такого ухудшения характеристик можно довольно легко – лишь установив модуль DIMM в соседний слот, или добавив пару модулей в попытке расширить оперативную память и – тем самым – увеличить производительность.

Такая существенная разница получается за счет технологии чередования, которую в правильной конфигурации удается реализовать процессору, а в несбалансированной системе – нет. О балансировке памяти смотрите дополнительные материалы.

Ранки

Данные по шине памяти передаются в единицах из 64 бит для всех типов DIMM. Это особенность технологии памяти DDR-SDRAM. Область памяти этой ширины трансформируется на группу чипов DRAM внутри DIMM — каждый отдельный чип отвечает за выдачу или 4 или 8 бит (обозначается как x4 или x8 в кодировке чипа). Такая группа чипов называется ранком. Существуют DIMM с 1, 2 или 4 ранками. DIMM максимальной емкостм — это модули с 4 ранками, но спецификация DDR4 допускает только 8 ранков на канал памяти. Процессор может организовать чередование по ранкам наряду с чередованием по каналам, контроллерам и т.д. (*)

Структуры x4 или x8 модулей DIMM по-разному задействованы  в системе обнаружения и исправления ошибок памяти ECC. Именно по этой причине RDIMM типа x4 нельзя смешивать с RDIMM типа x8.

Смешивание модулей с разными характеристиками в одной системе

Какие-то параметры модулей DIMM позволяют смешивать их в одной системе / канале памяти, какие-то  — жестко нет.

Например, установка модулей одного типа с разной тактовой частотой допустимо, но при этом все модули будут работать на частоте самого медленного.

Корректное расположение модулей одного типа разной емкости не приведет к снижению производительности

Сочетание модулей с различным количеством ранков при правильной их установке допустимо

Свод правил

В системе должен быть установлен хотя бы один модуль DIMM. Даже в 2-процессорной системе.

Совместимость

  • Все модули DIMMдолжны быть одного типа — DDR4 регистровые с коррекцией ошибок ECC
  • Модули небуферизованной памяти  (Unbuffered DIMM, UDIMM) не поддерживаются
  • Смешивание RDIMM, LRDIMM, 3DS LRDIMM в одной системе недопустимо – они не совместимы между собой. Ни в одном канале, ни на одном процессоре, ни на разных процессорах – никак.
  • Установка модулей разных производителей корректна. Важно – чтобы характеристики модулей были совместимы.
  • RDIMMс организацией x4 и x8 несовместимы.
  • Смешивание DIMM с разным количеством ранков в пределах одного канала допустимо
  • Ограничение по числу логических ранков
    •    Процессоры Intel Xeon E5 v3, v4
    • XeonE5 v3, v4 поддерживает до 8 ранков на канал, не превышайте это значение. Если необходима установка 3 модулей на канал (3DPC), модули должны быть 1- или 2-ранковыми.
    • Поскольку LRDIMM буферизуется, четырехранковый LRDIMM представляется процессору как двухранковый DIMM — что позволяет устанавливать 3шт LRDIMM на канал не превышая ограничение по ранкам.
    •    Процессоры Xeon Scalable
    • Так как процессоры Xeon Scalable позволяют устанавливать только до 2 модулей на канал, ограничение по ранкам для них снято.

Производительность

  • Последовательно заполняйте банки памяти без пропусков.
  • Распределение по каналам памяти.
    •    Процессоры Intel Xeon E5 v3, v4. Процессоры Xeon E5 нижнего диапазона — процессоры Intel Xeon E5 v3 с менее чем 10 ядрами и процессоры E5 v4 с менее чем 12 ядрами имеют только один контроллер памяти. В них все четыре канала памяти подключены к одному контроллеру. В более производительных процессорах встроено два контроллера памяти, каждый из которых управляет двумя каналами.
    • Старайтесь распределить модули памяти так, чтобы задействовать все каналы памяти процессора (4). Каждый канал дает 25% общей полосы пропускания подсистемы памяти. При этом, избегайте несбалансированных конфигураций. (*)
    •    Процессоры Xeon Scalable. Процессоры Xeon Scalable имеют 2 встроенных контроллера памяти, каждый из них управляет 3 каналами (всего 6).
    • Старайтесь распределить модули памяти так, чтобы задействовать все каналы памяти процессора Scalable (6). При этом, избегайте несбалансированных конфигураций. (*)
  • Для получения максимальной производительности, старайтесь, чтобы в системе были установлены все модули идентичного типа – одного производителя, емкости, тактовой частоты, внутренней организации.
  • Чередование.
    •    Процессоры Intel Xeon E5 v3, v4
    • Для получения максимальной производительности, устанавливайте память в сервер наборами по 4 идентичных модуля на один процессор– таким образом в полной мере будут задействованы все каналы памяти и максимально эффективно использовано чередование. (*)
    •    Процессоры Xeon Scalable
    • Для получения максимальной производительности, устанавливайте память в сервер наборами по 6 идентичных модулей на один процессор– таким образом в полной мере будут задействованы все каналы памяти и максимально эффективно использовано чередование. (*)
  • При установке модулей разной емкости в банк 0 устанавливаются самые емкие – они самые «тяжелые» с точки зрения нагрузки на шину модули, затем – банки 1 и 2, в порядке убывания.

  • Установка модулей одного типа с разной тактовой частотой допустимо, но при этом все модули будут работать на частоте самого медленного из них.
  • Модули DIMM с разными временными параметрами могут быть установлены на разных слотах в одном канале, но для всех модулей DIMM будут применяться только тайминги, поддерживающие самый медленный модуль DIMM
  • Когда модули DIMM с разным числом ранков устанавливаются в конфигурации 2DPC или 3DPC, всегда сначала заполняйте DIMM с более высоким номером (начиная с самого дальнего слота).

(*)   Про балансировку и чередование памяти в системах с различными процессорами читайте следующие статьи:

Балансировка чередования процессоров Intel Xeon E5 v3, v4, E7 v3

Балансировка чередования процессоровXeon Scalable

Балансировка чередования процессоров AMD EPYC

Перейти в раздел Оперативная память для сервера каталога

Перейти в раздел Сервер каталога

Вернуться к информационным материалам

Источник: https://store.smb-solution.ru/content/33-server-ram-performance

Полезная информация :: Оперативная память подробно — Компания MHz

Что такое ранки в оперативной памяти?

Оперативная память или RAM (Random Access Memory) это модуль, функцией которого является хранение данных и предоставление их по требованию устройству или программе — по сути это посредник между процессором и дисковыми накопителями. RAM является энергозависимым устройством, т.е. может работать лишь пока на него подается питание, при отключении которого все данные теряются. Разберемся более подробно в характеристиках этого важнейшего устройства, без которого ваш ПК, смартфон, ноутбук или планшет будет обычной грудой железа.

Типы ОЗУ

RAM бывают нескольких типов, кардинально отличающихся характеристиками и архитектурой.

SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) – синхронная динамическая память с произвольным доступом. Раньше была довольно популярной и использовалась почти во всех компьютерах, благодаря наличию синхронизации с системным генератором, который, в свою очередь, позволял контроллеру очень точно определять время, когда данные будут готовы. В итоге значительно уменьшилось время задержек по циклам ожидания в связи с доступностью данных на каждом такте таймера. Сегодня вытеснена более современными типами памяти.

DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM) – это динамическая синхронизированная память, в ее основе лежит принцип случайного доступа и двойная скорость обмена данными. Такой модуль обладает рядом положительных характеристик относительно SDRAM, важнейшая из которых – за 1 такт системного генератора осуществляется 2 операции, то есть при неизменной частоте пропускная способность на пике увеличивается в 2 раза.

DDR2 SDRAM – это следующая разработка, работает так же, как и у ОЗУ типа DDR, отличительная особенность данной модели заключается в удвоенной по объему выборке данных на такт (4 бита вместо 2х). Кроме того второе поколение стало более энергоэффективным, уменьшилось тепловыделение, а частоты выросли.

DDR3 SDRAM – новое поколение RAM, важнейшая отличительная особенность от DDR2 – выросшие частоты и уменьшенное потребление энергии. Также совершенно изменена конструкция ключей (специальные прорези для точного вхождения в слот).

Существуют модификации DDR3, отличающиеся еще меньшим потреблением энергии — DDR3L и LPDDR3 (напряжение у первой модели уменьшено до 1.35 В, а у второй до 1.2 В, тогда как у простых DDR3 оно равно 1.5В).

DDR4 SDRAM — новейшее поколение оперативной памяти. Характеризуется выросшей до 3,2 Гбит/с скоростью обмена данными, увеличенной до 4266 МГц частотой и значительно улучшенной стабильностью.

RIMM (RDRAM, Rambus DRAM) – память, основанная на тех же принципах, что и DDR, но с повышенным уровнем тактовой частоты, что было достигнуто за счет меньшей разрядности шины. Также при адресации ячейки номера строки и столбца предаются одновременно.

Стоимость RIMM была намного выше, а производительность лишь немногим превышала DDR, в итоге RAM этого типа просуществовали на рынке недолго.

Выбирайте тип RAM не только исходя из потенциала и характеристик вашей материнской платы, но и учитывая совместимость с другими составляющими системы.

Варианты физического расположения чипов (упаковка)

Устанавливаемые на модули ОЗУ чипы памяти располагаются либо с одной стороны (одностороннее месторасположение), либо с двух (двустороннее). В последнем варианте модули получаются достаточно толстыми, что не позволяет установить их на отдельные ПК.

Форм-фактор это

Специально разработанный стандарт в котором описаны размеры модуля ОЗУ, общее количество и месторасположение контактов. Существует несколько типов форм-факторов:

SIMM (Single in Line Memory Module) — 30 или 72 двухсторонних контакта;

RIMM – фирменный форм-фактор модулей RIMM (RDRAM). 184, 168 или 242 контакта;

DIMM (Dual in Line Memory Module) – 168, 184, 200 или 240 независимых, расположенных по обеим сторонам модуля, контактных площадок.

-DIMM (Fully Buffered DIMM) – исключительно серверные модули. Идентичны по форм-фактору DIMM с 240 контактами, но используют лишь 96, за счет последовательного интерфейса. Благодаря присутствующей на каждом модуле микросхеме AMB (Advanced Memory Buffer) обеспечивается высокоскоростная буферизация и конверсия всех сигналов, в том числе и адресации. Также значительно улучшены производительность и масштабируемость. Совместимы только с аналогичной полностью буферизованной памятью.

LRDIMM (Load Reduced Dual In-Line Memory Modules) – исключительно серверные модули. Оснащаются буфером iMB (Isolation Memory Buffer), снижающим нагрузку на шину памяти. Применяются для ускорения работы больших объемов памяти.

SODIMM (Small Outline Dual In-Line Memory Module) – подвид DIMM с меньшими размерами для установки в портативные устройства, в основном — ноутбуки. 144 и 200 контактов, в более редком варианте — 72 и 168.

MicroDIMM (Micro Dual In-Line Memory Module) — еще уменьшенный SODIMM. Обычно имеют 60 контактов. Возможные реализации контактов — 144 SDRAM, 172 DDR и 214 DDR2.

Отдельного упоминания заслуживает низкопрофильная (Low Profile) память — созданные специально для невысоких серверных корпусов модули с меньшей, по сравнению со стандартными, высотой.

Форм-фактор является основным параметром совместимости RAM с материнской платой, поскольку при его несовпадении модуль памяти элементарно не получится вставить в слот.

Что такое SPD?

На каждой планке форм-фактора DIMM имеется маленький чип SPD (Serial Presence Detect), в котором зашиты данные о параметрах физических чипов. Данная информация имеет критическое значение для бесперебойной работы и считывается BIOS на этапе теста для оптимизации параметров доступа к ОЗУ.

Ранки модуля памяти и их количество

Блок памяти шириной 64 бита (72 для модулей с ECC), образованный N физическими чипами. Каждый модуль может иметь от 1 до 4 ранков, причем свое ограничение на количество ранков существует и у материнских плат. Поясним — если на материнскую плату может быть установлено не более 8 ранков, то это значит что суммарное количество ранков модулей RAM не может превышать 8, например, в данном случае — 8 одноранковых или 4 двухранковых. В независимости от того остались ли еще свободные слоты — при исчерпанном лимите ранков дополнительные модули будет установить невозможно.

Определить ранк для конкретного ОЗУ довольно просто. У компании Kingston количество ранков определяется одной из 3-х букв в центре маркировочного списка: S – это одноранговая, D – друхранговая, Q – четырехранговая. Например:

  • KVR1333D3LS4R9S/4GEC
  • KVR1333D3LD4R9S/8GEC
  • KVR1333D3LQ8R9S/8GEC

Прочие же производители указывают этот параметр как, например, 2Rx8, что означает:

2R — двухранковый модуль

x8 — ширина шины данных на каждом чипе

т.е. модуль 2Rx8 без ECC имеет 16 физических чипов (64х2/8).

Тайминги и латентность

Выполнение любой операции чипом памяти происходит за определенное число тактов системной шины. Требуемые для записи и считывания данных количества тактов и есть тайминги.

Латентность, если коротко — задержка обращения к страницам памяти, также измеряется в количестве циклов и записывается 3-я числовыми параметрами: CAS Latency, RAS to CAS Delay, RAS Precharge Time. Иногда добавляется четвертая цифра — «DRAM Cycle Time Tras/Trc», характеризующая общее быстродействие всей микросхемы памяти.

CAS Latency или CAS (CL) – ожидание от момента, когда данные были запрошены процессором и до начала их считывания с RAM. Одна из важнейших характеристик определяющих скорость работы ОЗУ. Маленькое CL говорит о высоком быстродействии RAM.

RAS to CAS Delay (tRCD) — задержка между передачей сигнала RAS (Row Address Strobe) и CAS (Column Address Strobe), необходимая для четкого отделения этих сигналов контроллером памяти. Проще говоря — запрос на чтение данных включает в себя номера строки и столбца страницы памяти и эти сигналы должны быть отчетливыми, в противном случае будут возникать множественные ошибки данных.

RAS Precharge Time (tRP) — определяет время задержки между деактивацией текущей строки данных и активацией новой. Иначе говоря – интервал, спустя который контроллер может снова подать сигналы RAS и CAS.

Тактовая частота, частота передачи данных (Data rate)

Частота передачи данных (Иначе — скорость передачи данных) — максимально возможное число циклов передачи данных в секунду. Измеряется в гигатрансферах (GT/s) или мегатрансферах (MT/s). Тактовая же частота определяет максимальную частоту системного генератора. Надо помнить, что DDR расшифровывается как Double Data Rate, что означает удвоенную частоту обмена данными относительно тактовой. Так, например для модуля DDD2-800 тактовая частота будет 400.

Пропускная способность (пиковая скорость передачи данных)

В упрощенном варианте рассчитывается как частота системной шины умноженная на передаваемый за такт объем данных.

Пиковая же скорость является произведением частоты и разрядности шины на количество каналов памяти (Ч×Р×К). На модуле памяти указывается как, например, PC3200, что, очевидно, означает — пиковая скорость передачи данных для этого модуля равна 3200 Мбайт/с.

Для оптимальной работы системы суммарное значение ПСПД планок памяти не должно превышать ПС шины процессора, исключением является двухканальный режим, когда планки будут занимать шину по очереди.

Что такое поддержка ЕСС (Error Correct Code)

Память с поддержкой ECC позволяет находить и исправлять спонтанные ошибки во время передачи данных. Физически ECC исполнена в виде дополнительного 8-разрядного чипа памяти на каждые 8 основных и представляет собой значительно улучшенный «контроль четности». Суть данной технологии состоит в отслеживании одного произвольно измененного в процессе записи/считывания 64-битного машинного слова бита с последующим его исправлением.

Буферизованная (регистровая) память

Характеризуется наличием на модуле RAM специальных регистров (буферов), обрабатывающих сигналы управления и адресации от контроллера. Несмотря на возникающий благодаря буферу дополнительный такт задержки, регистровая память тем не менее широко используется в профессиональных системах из-за пониженной нагрузки на систему синхронизации и значительно повышенной надежности.

Надо помнить, что буферизированная и небуферизированная память являются несовместимыми и не могут работать в одном устройстве.

Источник: http://Megagertz.ru/poleznaya-informaciya/operativnaya-pamyat-podrobno/

Коротко о выборе оперативной памяти по отборным чипам и почему необходимо балансировать между частотами и таймингами

Что такое ранки в оперативной памяти?

Дисклеймер: данный автор не считает себя убежденным профессионалом и является профаном во многих темах. Не стоит слепо прислушиваться к мнению автора! Все, что будет здесь рассказано, основано на отобранной информации и личном опыте.

Другие статьи на тему: «О компьютерном железе»
О том, как отбирают годные чипы процессоров.
О процессоре Ryzen 3000
Почему RX Vega 56 выгоден к приобретению сегодня.

Категорически приветствую!
Оперативная память, как и любой другой компонент системы, очень важный элемент и ее правильная настройка окажет не меньшую пользу. Поэтому многие энтузиасты и прожженные любители ПК ищут «идеальную планку» для своей системы.

О том, почему они это делают и как, будет рассказано в сегодняшней статье.

Источник: i2hard.ru

Отбор чипов памяти.

Как и с любым чипом на производстве, идет отбор годных экземпляров, которые отправляются уже в качестве готового продукта в тот или иной ценовой сегмент. А у пользователей остается дело за малым — подобрать самый лучший вариант для своей системы, или, проще говоря, выбор по маркировке чипа памяти.

Сегодня на слуху есть три лучших чипа памяти по цене/частотному потенциалу: Samsung B-Die, Micron E-Die и Hynix C-Die(SJR). У каждого из этих чипов свои возможности и пределы.

Для того, чтобы определить какой чип памяти у Вас стоит, рекомендую воспользоваться утилитой Thaiphoon burner.

В данной утилите, можно определить производителя чипа, тип чипа, физическое число установленных микросхем, ранги памяти и многое другое.Также для тех, кто собирается себе подбирать планки оперативной памяти, может заглянуть в этот форум.

Разница между одноранговой и двухранговой памятью.

Также при выборе памяти, некоторые отталкиваются от такого фактора как «ранги». Тип ранга определяется по плотности числа (или по-другому, массива) микросхем на планке.

Первый и самый простой способ определить какой ранг памяти на руках: если на планке распаяно до восьми чипов — это одноранговая память, а если более, до шестнадцати — то двухранговая.

Второй способ — определить при помощи утилиты, если планка памяти закрыта радиатором. Обычно такие программы, как CPU-Z или Thaiphoon burner, могут определить ранги по разрядности микросхем памяти и по их числу (картинка выше, для примера).

Между одноранговой и двухранговой памятью есть сильные различия. Двухранговая память обладает вдвое большим объемом памяти и быстрее одноранговой памяти в одноканальном режиме. В то же время одноранговая память быстрее в двухканальном режиме и обладает куда большим разгонным потенциалом. Поэтому многие опираются именно на одноранговую память.

Кстати существует и четырехранговая память. Но она довольно редка.

Почему необходимо настраивать тайминги.

Купить «отборную» оперативную память это только половина пути, ведь еще необходимо настроить частоты и тайминги. По этой же причине, «прожженные» обращают внимание именно на отборные чипы — они лучше всего настраиваются и способны работать на высоких частотах при приемлемых таймингах.
Правильная настройкачастот и таймингов позволяет достичь максимальной производительности от чипов памяти, что в некоторых задачах может сказаться значительным фактором.

Для владельцев процессоров Ryzen, рекомендую воспользоваться такими утилитами как Ryzen timing checker или Ryzen DRAM calculator.

Влияние настроек таймингов на общую производительность работы. На примере AMD Ryzen 7 2700X.Влияние настроек таймингов на общую производительность работы. На примере AMD Ryzen 7 2700X.Влияние настроек таймингов на общую производительность работы. На примере AMD Ryzen 7 2700X.

Влияние настроек таймингов на общую производительность работы. На примере AMD Ryzen 7 2700X.Влияние настроек таймингов на общую производительность работы. На примере AMD Ryzen 7 2700X.Влияние настроек таймингов на общую производительность работы. На примере AMD Ryzen 7 2700X.Влияние настроек таймингов на общую производительность работы. На примере AMD Ryzen 7 2700X.Влияние настроек таймингов на общую производительность работы.

На примере AMD Ryzen 7 2700X.

Если не соблюдать такое правило, то можно очень легко получить нестабильную систему, а в играх придется стать свидетелем постоянных «фризов» и «лагов». Поэтому разгоняя память, необходимо также уделять свое внимание и на тайминги.

================================================================

Это все, что я хотел рассказать в сегодняшней статье. Данная статья не является гайдом и написана с целью передать нужные наводки желающим приобрести хорошую и достаточно быструю память для своей системы. И я надеюсь, что она сможет помочь кому-то сделать правильный выбор.

Большое спасибо за прочтение данного материала и всегда буду рад увидеть Вас снова на моемканале!

Источник: https://zen.yandex.ru/media/kcas1000/korotko-o-vybore-operativnoi-pamiati-po-otbornym-chipam-i-pochemu-neobhodimo-balansirovat-mejdu-chastotami-i-taimingami-5d5d18e9c6e2a400ad207087

Одноранговая или двухранговая память для Ryzen

Что такое ранки в оперативной памяти?

Тонкости использования оперативной памяти компьютера неспециалистам кажутся простыми и понятными. Главное — знать сколько же всего памяти в наличии. И чем больше этой памяти, тем вроде бы лучше. Но если немного изучить эту тему, всё делается не столь прозрачным. Порой необходимо пожертвовать объёмом памяти ради покупки более качественных модулей для увеличения производительности сервера или рабочей станции.

Сегодня мы разберёмся с такой малоизвестной характеристикой модулей оперативной памяти как ранг. Попытаемся понять одноранговая или двухранговая память для Ryzen подойдет лучше.

1. Что такое ранги памяти

Давайте сначала разберемся чем отличается одноранговая память от двухранговой. Для того, чтобы понять смысл понятия рангов памяти, надо немного рассказать о стандарте оперативной памяти DDR SDRAM и его особенностях. Он пришёл на замену памяти SDRAM. В отличие от предшественника, новый стандарт позволил передавать информацию 2 раза за такт.

Ширина шины памяти обычно составляет 64 бит (в отдельных случаях 72 бит при наличии коррекции ошибок). Ранги позволяют на одну физическую шину подключить 2, 4 и более банков памяти, кратно её разрядности. Благодаря этому на 1 физический канал приходятся 1, 2, 4 или более логических каналов на модуле памяти.

Количество этих логических каналов на модуле и называется рангами памяти.

В идеальной ситуации такая организация модуля не должна приносить никакого выигрыша в производительности, но, благодаря некоторому сокращению задержек при передаче данных, зачастую получается небольшой выигрыш в производительности (с некоторыми особенностями). Именно вопрос улучшения производительности мы и попытаемся изучить в случае с разным количеством рангов памяти.

2. Тестовая платформа

Для тестового стенда использовались такие конфигурации:

Процессор: Ryzen 7 1700.

Материнские платы:

  • MSI X370 XPOWER GAMING TITANIUM with UEFI 1.26;
  • GIGABYTE GA-AX370-Gaming 5 with UEFI F5d;
  • ASUS ROG Crosshair VI Hero with UEFI 1001.

Оперативная память:

  • Corsair Vengeance LPX 64GB (4x16GB) DDR4 3600MHz C18 — двухранговая память;
  • Corsair Vengeance LPX 32GB (4x8GB) DDR4 4000MHz C19 — одноранговая память.

3. Результаты тестирования

Тестирование проводилось с помощью программы AIDA64. Проводились тесты чтения, записи в оперативную память, а также тест измерения задержек в работе оперативной памяти.

Ниже приводятся результаты тестов одноранговой памяти.

Одноранговая память в составе двух модулей при данных версиях BIOS смогла показать частоту 3200 МГц, при этом производительность существенно выросла. При полном комплекте из четырёх модулей память смогла с данными таймингами устойчиво работать на частоте 2666 МГц.

Далее представлены графики для двухранговой памяти.

Двухранговая память, как в составе двух модулей, так и в составе четырёх модулей, сумела достичь частоты 2666 МГц. Чтобы понять что лучше одноранговая или двухранговая память для Ryzen подведём итоги, основываясь на представленных выше графиках.

Анализ результатов тестов

Сравнив результаты тестов памяти на одинаковой частоте для процессоров Ryzen, можно заметить, что при выполнении операций чтения более производительным оказывается комплект из двухранговых модулей, при операциях записи незначительное преимущество аналогично на стороне двухранговых модулей (если вы используете комплект из двух модулей), а вот при замере времени отклика памяти более производительными оказываются одноранговые модули. Заметим, что свои коррективы вносит разница в объёме памяти используемых модулей и версия BIOS материнских плат.

Максимально возможную частоту позволяют достичь одноранговые модули, прирост производительности от увеличения частот оказывается более высоким, чем от наличия двух рангов в модуле памяти.

Выводы

Надеюсь теперь стало понятно что лучше одноранговая или двухранговая память ddr4 для Ryzen. В случае, когда вы хотите достичь прироста производительности за счёт максимальной частоты памяти, стоит присматриваться к одноранговым модулям с гарантированной производителем более высокой частотой (в сравнении с доступными по цене двухранговыми модулями). При этом стоит быть готовым к необходимости ручной настройки таймингов памяти на максимальных частотах. Также нужно учитывать, что для достижения максимальной производительности комплект из двух модулей предпочтителен по сравнению с комплектом из четырёх модулей.

Если же предстоит сделать выбор между одинаково высокоскоростными одноранговыми и двухранговыми модулями (а на данный момент существуют двухранговые модули, работающие на высоких частотах то выбор не столь однозначен. При выполнении некоторых задач двухранговые модули (в наборе 2 шт.) могут обеспечить некоторое превосходство в пределах 2-4% производительности по сравнению с одноранговыми модулями.

Хочется отметить также, что существуют модули, содержащие и большее количество рангов памяти на планке, но, судя по показаниям тестов, наращивание количества рангов более 2-х на модуль также не способствует повышению производительности.

, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Источник: https://te4h.ru/odnorangovaya-ili-dvuhrangovaya-pamyat-dlya-ryzen-2